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肖特基二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

肖特基二極管存在的問(wèn)題是耐壓比較低,反向漏電流比較大。目前應(yīng)用在功率變換電路中的肖特基二極管的大體水平是耐壓在150V以下,平均電流在100A以下,反向恢復(fù)時(shí)間在10~40ns。肖特基二極管應(yīng)用在高頻低壓電路中,是比較理想的。

肖特基二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

肖特基(Schottky)二極管也稱肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱SBD),是由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘層為基礎(chǔ)制成的二極管如圖 1所示,其主要特點(diǎn)是正向?qū)▔航敌。s0.45V),反向恢復(fù)時(shí)間短和開(kāi)關(guān)損耗小,是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別,它的內(nèi)部是由陽(yáng)極金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場(chǎng)消除材料、N-外延層(砷材料)、N型硅基片、N 陰極層及陰極金屬等構(gòu)成,如圖1所示。在N型基片和陽(yáng)極金屬之間形成肖特基勢(shì)壘。當(dāng)在肖特基勢(shì)壘兩端加上正向偏壓(陽(yáng)極金屬接電源正極,N型基片接電源負(fù)極)時(shí),肖特基勢(shì)壘層變窄,其內(nèi)阻變小;反之,若在肖特基勢(shì)壘兩端加上反向偏壓時(shí),肖特基勢(shì)壘層則變寬,其內(nèi)阻變大。

肖特基二極管存在的問(wèn)題是耐壓比較低,反向漏電流比較大。目前應(yīng)用在功率變換電路中的肖特基二極管的大體水平是耐壓在150V以下,平均電流在100A以下,反向恢復(fù)時(shí)間在10~40ns。肖特基二極管應(yīng)用在高頻低壓電路中,是比較理想的。

肖特基二極管結(jié)構(gòu)和內(nèi)電路

1.肖特基二極管結(jié)構(gòu)

圖13-3是肖特基二極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。肖特基二極管具有更低的串聯(lián)電阻和更強(qiáng)的非線性,適合于在射頻電路中應(yīng)用。

某些金屬和N型半導(dǎo)體材料接觸后,電子會(huì)從N型半導(dǎo)體材料中擴(kuò)散進(jìn)入金屬?gòu)亩诎雽?dǎo)體材料中形成一個(gè)耗盡層,具有和常規(guī)PN結(jié)類似的特牲,這種由金屬和半導(dǎo)體材料接觸形成類似PN結(jié)勢(shì)壘的結(jié)構(gòu)稱為肖特基結(jié)。

當(dāng)在肖特基勢(shì)壘兩端加上正向偏壓(陽(yáng)極金屬接電源正極,N型基片接電源負(fù)極)時(shí),肖特基勢(shì)壘層變窄,其內(nèi)阻變小。如果在肖特基勢(shì)壘兩端加上反向偏壓時(shí),肖特基勢(shì)壘層則變寬,其內(nèi)阻變大,如圖13-4所示。

2.肖特基二極管內(nèi)電路?

引線式肖特基對(duì)管又有共陽(yáng)(兩管的正極相連)、共陰(兩管的負(fù)極相連)和串聯(lián)(一只二極管的正極接另一只二極管的負(fù)極)3種引腳引出方式。JRC2352圖13-5是引線式肖特基對(duì)管內(nèi)電路結(jié)構(gòu)示意圖。

貼片式肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式,且內(nèi)電路具體形式多達(dá)10余種。圖13-6所示是多種貼片式肖特基二極管內(nèi)電路。

肖特基二極管結(jié)構(gòu)和內(nèi)電路

首頁(yè) > 產(chǎn)品資訊 > 日期:2022-6-25 來(lái)源:Internet 作者:yq 瀏覽量:


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